- 负载是基于客户供应的系统限制条件仔细设计而成的。
- 经过热和机械模拟,确保负载性能完好。
- 负载技术可用范围从直流电到31 GHz。
- 可供应独立高性能封装负载和终端器,适用平均功率300 W。
- 衰减器操作频率可达10 Ghz,并适用10 W平均功率。
- 典型负载类型包括电阻式、吸收式,以及组合类型。
- 直流电阻值为零、50,和10兆欧姆的射频终端器。
- 供应大功率绝缘子,这些绝缘子具有集成式芯片终端器,这些终端器操作频率可达30 GHz,采用范围广泛的芯片类型和尺寸。
- 终端器用作独立组件时,可供应高达20 GHz的终端器。
当前位置
同轴负载、终端、衰减器
作为绝缘子供应商,Smiths Interconnect|TRAK的核心能力之一便是对高性能负载、终端和衰减器的设计。Smiths Interconnect|TRAK的负载、终端器和衰减器常规集成在小功率和大功率绝缘子中,同样也可作为独立组件供应。
所有负载均根据客户提供的系统限制条件(峰值和平均功率、基板温度,等等)谨慎设计,并经过热和机械模拟,确保在最恶劣的组合效应下,Smiths Interconnect|TRAK负载的性能依然完美无误,并具有设计用于平衡成本与批量的安全系数。
本公司负载技术从直流电应用至31 Ghz,尽管大多数都用于端接同轴环形器的第三端口,但我们也供应独立式高性能封装负载和转接器,平均功率达300 W。本公司的衰减器操作频率可达10 Ghz,并适用10 W平均功率。
Smiths Interconnect|TRAK在产品内部采用了数项负载技术,并在要求中有所指示时,采用负载技术作为独立式产品。负载的选择取决于众多因素,包括操作频率、射频功率,和客户喜好。同轴和带状线/微带型应用的典型负载类型包括电阻式、吸收式,以及组合类型,这表示,Smiths Interconnect|TRAK可生产直流电阻值为零、50,和10兆欧姆的射频终端器。
本公司的负载和终端器均经过充分设计,并凭借本公司首选供应商Smiths Interconnect|EMC提供的超精确模型,通过有限元分析而进行了优化。
终端器或衰减器的选择可能因为频率与功率的结合作用而复杂化。一般而言,随着频率增大,处理较大平均功率会变得较为困难。为此,Smiths Interconnect|TRAK推荐EMC钻石射频产品,其优质性能无以伦比。
Smiths Interconnect|TRAK在供应大功率绝缘子方面具有深厚的经验传承,这些绝缘子具有集成式芯片终端器,操作频率可达30 GHz,使用多种芯片类型及尺寸,包括最新的CVD薄膜终端器,这款终端器非常适合在更高频率下操作。
终端器作为独立组件时,可供应操作频率达20 GHz的终端器,采用各种封装,且通常用作环形器的远程负载,或用于耦合器和机械开关上。
操作频带 | 终端器系列 | 平均功率(W) | 回波损耗 | 连接器类型 | 作业温度 |
DC – 0.50 | VTE 系列 | 180 | 23 | TNC | -25 至+70 |
DC – 12.4 | TE 系列 | 10 | 21 | TNC | -25 至+85 |
3.0 – 6.0 | LTE 系列 | 90 | 21 | TNC | -25 至+85 |
2.0 – 4.0 | STE 系列 | 90 | 21 | TNC | -25 至+85 |
4.0 – 8.0 | CTE 系列 | 90 | 21 | TNC | -25 至+85 |
8.0 – 12.0 | XTE 系列 | 20 | 21 | TNC | -25 至+85 |
12.0 – 18.0 | JTE 系列 | 12 | 21 | SMA | -25 至+85 |
17.0 – 22.0 (5% BW) | KTE 系列 | 2 | 21 | SMA | -25 至+85 |
- 小功率和大功率绝缘子。
- 独立组件。
- KoreaSat3项目