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同轴负载、终端、衰减器

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同轴铁氧体-同轴负载、终端、衰减器
  • 负载是基于客户供应的系统限制条件仔细设计而成的。 
  • 经过热和机械模拟,确保负载性能完好。
  • 负载技术可用范围从直流电到31 GHz。 
  • 可供应独立高性能封装负载和终端器,适用平均功率300 W。 
  • 衰减器操作频率可达10 Ghz,并适用10 W平均功率。
  • 典型负载类型包括电阻式、吸收式,以及组合类型。
  • 直流电阻值为零、50,和10兆欧姆的射频终端器。
  • 供应大功率绝缘子,这些绝缘子具有集成式芯片终端器,这些终端器操作频率可达30 GHz,采用范围广泛的芯片类型和尺寸。
  • 终端器用作独立组件时,可供应高达20 GHz的终端器。 

作为绝缘子供应商,Smiths Interconnect|TRAK的核心能力之一便是对高性能负载、终端和衰减器的设计。Smiths Interconnect|TRAK的负载、终端器和衰减器常规集成在小功率和大功率绝缘子中,同样也可作为独立组件供应。

所有负载均根据客户提供的系统限制条件(峰值和平均功率、基板温度,等等)谨慎设计,并经过热和机械模拟,确保在最恶劣的组合效应下,Smiths Interconnect|TRAK负载的性能依然完美无误,并具有设计用于平衡成本与批量的安全系数。

本公司负载技术从直流电应用至31 Ghz,尽管大多数都用于端接同轴环形器的第三端口,但我们也供应独立式高性能封装负载和转接器,平均功率达300 W。本公司的衰减器操作频率可达10 Ghz,并适用10 W平均功率。

Smiths Interconnect|TRAK在产品内部采用了数项负载技术,并在要求中有所指示时,采用负载技术作为独立式产品。负载的选择取决于众多因素,包括操作频率、射频功率,和客户喜好。同轴和带状线/微带型应用的典型负载类型包括电阻式、吸收式,以及组合类型,这表示,Smiths Interconnect|TRAK可生产直流电阻值为零、50,和10兆欧姆的射频终端器。

本公司的负载和终端器均经过充分设计,并凭借本公司首选供应商Smiths Interconnect|EMC提供的超精确模型,通过有限元分析而进行了优化。

终端器或衰减器的选择可能因为频率与功率的结合作用而复杂化。一般而言,随着频率增大,处理较大平均功率会变得较为困难。为此,Smiths Interconnect|TRAK推荐EMC钻石射频产品,其优质性能无以伦比。

Smiths Interconnect|TRAK在供应大功率绝缘子方面具有深厚的经验传承,这些绝缘子具有集成式芯片终端器,操作频率可达30 GHz,使用多种芯片类型及尺寸,包括最新的CVD薄膜终端器,这款终端器非常适合在更高频率下操作。

终端器作为独立组件时,可供应操作频率达20 GHz的终端器,采用各种封装,且通常用作环形器的远程负载,或用于耦合器和机械开关上。

操作频带终端器系列平均功率(W)回波损耗连接器类型作业温度
DC – 0.50VTE 系列18023TNC-25 至+70
DC – 12.4TE 系列1021TNC-25 至+85
3.0 – 6.0LTE 系列9021TNC-25 至+85
2.0 – 4.0STE 系列9021TNC-25 至+85
4.0 – 8.0CTE 系列9021TNC-25 至+85
8.0 – 12.0XTE 系列2021TNC-25 至+85
12.0 – 18.0JTE 系列1221SMA-25 至+85
17.0 – 22.0 (5% BW)KTE 系列221SMA-25 至+85
  • 小功率和大功率绝缘子。
  • 独立组件。 
  • KoreaSat3项目